МОП-транзисторы

Скачать работу - МОП-транзисторы

Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах. Но наряду с положительными качествами, триоды имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям (чтобы сделать транзистор более долговечным, его помещают в специальные корпуса ). Основные материалы из которых изготовляют транзисторы — кремний и германий, перспективные – арсенид галлия , сульфид цинка и широко зонные проводники . Существует 2 типа транзисторов: биполярные и полевые.

Рассмотрим устройство и принцип действия полевого транзистора МОПструктуры (МеталлОкиселПолупроводник), который нашел широкое применение в качестве основного элемента всех современных интегральных микросхем КМОП структуры. МОП – ТРАНЗИСТОРЫ 1. Устройство полевого транзистора.

Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. В отличие от биполярных работа полевых транзисторов основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. По конструктивному исполнению и технологии изготовления полевые транзисторы можно разделить на две группы: полевые транзисторы с управляющим рп - переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором. Рис.1. Структура полевого транзистора Полевой транзистор с управляющим р-ппереходом - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-п - переходом, смещенным в обратном направлении.

Электрод , из которого в канал входят носители заряда, называют истоком; электрод, через который из канала уходят носители заряда, - стоком; электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, - затвором. При подключении к истоку отрицательного (для п-канала), а к стоку положительного напряжения (рис. 1 ) в канале возникает электрический ток, создаваемый движением электронов от истока к стоку, т.е. основными носителями заряда. В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного.

Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполярном транзисторе) является второй характерной особенностью полевого транзистора.

Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т.е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-п-переход, сопротивление между управляющим электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора ничтожно мала.

Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению.

Рис. 2. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а - с индуцированным каналом ; б - со встроенным каналом.

Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис. 2 ). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток.

Поверхность полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем диэлектрика (обычно слоем оксида кремния). На слой диэлектрика нанесен металлический электрод - затвор.

Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника.

Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДПтранзисторами или МОПтранзисторами ( металл - оксидполупроводник). Существуют две разновидности МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами. В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р-канале и положительного при п-канале). Это напряжение называют пороговым ( U ЗИ.пор ). Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, то считают, что канал работает в режиме обогащения. В МДП - транзисторах со встроенным каналом проводящий канал, изготавливается технологическим путем, образуется при напряжении на затворе равном нулю. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р - каналом или отрицательном напряжении транзистора с n - каналом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки ( U ЗИ.отс ). МДП - транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда. 2. Схемы включения полевого транзистора.

Рис. 3. Схемы включения полевого транзистора.

Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общим для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов полевого транзистора подключен к общему выводу, различают схемы: с общим истоком и входом затвор; с общим стоком и входом на затвор; с общим затвором и входом на исток. Схемы включения полевого транзистора показаны на рис. 3. По аналогии с ламповой электроникой, где за типовую принята схема с общим катодом, для полевых транзисторов типовой является схема с общим истоком.

3. Эквивалентная схема полевого транзистора. Рис. 4. Эквивалентная схема полевого транзистора.

Эквивалентная схема полевого транзистора, элементы которой выражены через у-параметры, приведен на рис. 4. При таком подключении каждая из проводимости имеет физический смысл. 4. Параметры полевого транзистора.

Входная проводимость определяется проводимостью участка затвор - исток у ЗИ. = у 11 + у 12 ; выходная проводимость - проводимость участка сток - исток у СИ = у 22 + у 21 ; функции передачи - крутизной вольт-амперной характеристики S = у 21 - у 12 ; функция обратной передачи - проходной проводимостью у ЗС = у 12 . Эти параметры применяются за первичные параметры полевого транзистора, используемого в качестве четырехполюсника. Если первичные параметры четырехполюсника для схем с общим истоком определены, то можно рассчитать параметры для любой другой схемы включения полевого транзистора.

Начальный ток стока I С.нач - ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю и напряжении на стоке, равном или превышающим напряжение насыщения.

Остаточный ток стока I С.ост - ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки. Ток утечки затвора I З.ут - ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.

Обратный ток перехода затвор - сток I ЗСО - ток, протекающий в цепи затвор - сток при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами.

Обратный ток перехода затвор - исток I ЗИО - ток, протекающий в цепи затвор - исток при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами.

Напряжение отсечки полевого транзистора U ЗИ.отс - напряжение между затвором и истоком транзистора с р -п переходом или изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Пороговое напряжение полевого транзистора U ЗИ.пор - напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Крутизна характеристик полевого транзистора S - отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

Входная емкость полевого транзистора С 11и - емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе в схеме с общим истоком.

Выходная емкость полевого транзистора С 22и - емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.

Проходная емкость полевого транзистора C 12 и - емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.

Емкость затвор -сток С ЗСО - емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.

Емкость затвор - исток С ЗИО емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.

Коэффициент усиления по мощности К ур - отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения. 4.1. Частотные свойства.

Частотные свойства полевых транзисторов определяются постоянной времени RC - цепи затвора.

Поскольку входная емкость С 11и у транзисторов с р-п переходом велика (десятки пикофарад), их применение в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением возможно в диапазоне частот, ре превышающих сотен килогерц - единиц мегагерц. При работе в переключающих схемах скорость переключения полностью определяется постоянной времени RC - цепи затвора. У полевых транзисторов с изолированным затвором входная емкость значительно меньше, поэтому их частотные свойства намного лучше, чем у полевых транзисторов с р-п - переходом.

Граничная частота определяется по формуле f гр. = 159/ С 11и , где f гр = частота, МГц; S - крутизна характеристики транзистора, мА/В; С 11и - емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току выходной цепи, пФ. 4.2. Шумовые свойства.

Шумовые свойства полевых транзисторов оцениваются коэффициентом шума К Ш , который мало зависит от напряжения сток - исток, тока стока и окружающей температуры (ниже 50 0 С) и монотонно возрастает с уменьшением частоты и внутреннего сопротивления источника сигнала.

Коэффициент шума измеряют в заданном режиме по постоянному току U СИ , I C на определенной частоте.

Вместо коэффициента шума иногда указывают шумовое напряжение полевого транзистора U ш - эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком; шумовой ток I ш - эквивалентный шумовой ток , приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот в схеме с общим истоком. 4.3. Тепловые параметры.

Тепловые параметры полевого транзистора характеризуют его устойчивость при работе в диапазоне температур. При изменении температуры свойства полупроводниковых материалов изменяются. Это приводит к изменению параметров полевого транзистора, в первую очередь , тока стока, крутизны и тока утечки затвора.

Зависимость изменения тока стока от температуры определяется двумя факторами: контактной разностью потенциалов р-п перехода и изменением подвижности основных носителей заряда в канале. При повышении температуры контактная разность потенциалов уменьшается, сопротивление канала падает, а ток увеличивается. Но повышение температуры приводит к уменьшению подвижности носителей заряда в канале и тока стока. При определенных условиях действие этих факторов взаимнокомпенсируется и ток полевого транзистора перестает зависеть от температуры. На рис. 5. приведены стокозатворные характеристики при различных температурах окружающей

Рис. 5. Сток - затворные характеристики полевого транзистора при разных температурах. среды и указано положение термостабильной точки.

Зависимость крутизны характеристики от температуры у полевых транзисторов такая же как и у тока стока. С ростом температуры ток утечки затвора увеличивается. Хотя абсолютное изменение тока незначительно , его надо учитывать при больших сопротивлениях в цепи затвора. В этом случае изменение тока утечки затвора может вызвать существенное изменение напряжения на затворе полевого транзистора и режима его работы.

Температурная зависимость тока утечки затвора полевого транзистора с р-п переходом приведена на рис. 6 . В

рис. 6. Зависимость тока утечки затвора полевого транзистора от температуры. полевом транзисторе с изолированным затвором ток затвора практически не зависит от температуры. 4.4. Максимально допустимые параметры. М а к с и м а л ь н о д о п у с т и м ы е п а р а м е т р ы определяют значения конкретных режимов полевых транзисторов, которые не должны превышаться при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность. К максимально допустимым параметрам относятся: максимально допустимое напряжение затвор - исток U ЗИ max , затвор - сток U ЗС max , сток - исток U СИ max , максимально допустимое напряжение сток - подложка U СП max , исток - подложка U ИП max , затвор - подложка U ЗП max . Максимально допустимый постоянный ток стока I Сmax максимально допустимый прямой ток затвора I З(пр) max , максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность Р max . 4.5. Вольт – амперные характеристики полевых транзисторов . а б Рис. 7. Вольт – амперные характеристики полевого транзистора со встроеным каналом nтипа: а – стоковые; б – стоко – затворные. Вольт - амперные характеристики полевых транзисторов устанавливают зависимость тока стока I C от одного из напряжений U СИ или U ЗИ при фиксированной величине второго. В МДП - транзисторе с индуцированным каналом с подложкой р-типа при U ЗИ = 0 канал п-типа может находиться в проводящем состоянии. При некотором пороговом напряжении U ЗИ.ПОР 7 , а стоко - затворная характеристика пересекает ось ординат в точке со значением тока I C. НАЧ . Особенностью МДП - транзистора с индуцированным каналом п - типа является возможность работы без постоянного напряжения смещения ( U ЗИ = 0) в режиме как обеднения, так и обогащения канала основными носителями заряда. МДП - транзистор с встроенным каналом имеет вольт-амперные характеристики , аналогичные изображенным на рис. 7 . У МДП - транзисторов всех типов потенциал подложки относительно истока оказывает заметное влияние на вольт -амперные характеристики и соответственно параметры транзистора.

Благодаря воздействию на проводимость канала подложка может выполнять функцию затвора.

Напряжение на подложке относительно истока должно иметь такую полярность, чтобы р-п переход исток - подложка включался в обратном направлении. При этом р-п переход канал - подложка действует как затвор полевого транзистора с управляющим р-п переходом. 5. Рекомендации по применению полевых транзисторов.

Рекомендации по применению полевых транзисторов.

Полевые транзисторы имеют вольт-амперные характеристики, подобные ламповым, и обладают всеми принципиальными преимуществами транзисторов. Это позволяет применять их в схемах, в большинстве случаев использовались электронные лампы, например, в усилителях постоянного тока с высокоомным входом , в истоковых повторителях с особо высокоомным входом , в электрометрических усилителях, различных реле времени, RS - генераторах синусоидальных колебаний низких и инфранизких частот, в генераторах пилообразных колебаний , усилителях низкой частоты , работающих от источников с большим внутренним сопротивлением, в активных RC - фильтрах низких частот.

Полевые транзисторы с изолированным затвором используют в высокочастотных усилителях, смесителях , ключевых устройствах. В рекомендации по использованию транзисторов для случая полевых транзисторов следует внести дополнения: 1. На затвор полевых транзисторов с р-п ( отрицательное для транзисторов с р - каналом и положительным для транзистора с п - каналом). 2. Полевые транзисторы с изолированным затвором следует хранить с закороченными выводами. При включении транзисторов в схему должны быть приняты все меры для снятия зарядов статического электричества.

оценка стоимости аренды помещения в Курске
оценка станка в Твери
оценка машин для наследства в Орле